“如果要使用600型光刻机，强行生产等效五纳米工艺的芯片，也不是不可以，在理论上是存在这种可能性的，但是我们的这款600型光刻机在套刻精度上还不够，强行生产的话，那么良率将会非常低，完全不具备商业价值！”

徐申学听罢后，却是没有露出什么沮丧之类的表情，而是继续翻看着技术，然后道：“七纳米工艺能够解决的话，就不错了。”

“至于五纳米工艺的话，良率低，商用价值低先不谈，关键的是要解决有无问题，我们必须确保哪怕没有EUV光刻机，也要能够获得一定的五纳米工艺产能，哪怕它成本极其高昂！”

徐申学对这个等效五纳米工艺，还是比较看重的……在没有EUV光刻机的当下里，想要进一步突破工艺制程，那么就需要深挖DUV浸润式光刻机的极限了。

不仅仅是自己这边的问题，对面的英特尔和台积电，四星等也存在同样的问题……因为他们也没EUV光刻机可用！

原时空里他们可以直接用EUV光刻机玩七纳米甚至五纳米，但是这个时空里……徐申学微笑着对他们说：我没得用，你们也不能用！

你们不能抢跑，这不是体面人该做的事！

你们要是不体面，我就帮你们体面！

至于说什么规矩不规矩，事关几千亿美金的电子消费以及半导体市场，背后是一整个电子消费以及半导体产业链，影响数以千万计的就业岗位……

规矩？

老子的火箭弹就是规矩！

现在老老实实的待在原地和我一起玩DUV浸润式光刻机……然后我们各自琢磨如何用DUV浸润式光刻机生产七纳米甚至五纳米工艺的芯片！

这也挺好玩的不是！

这个时候，如何利用DUV浸润式光刻机进一步推进工艺，这就成为了很重要的问题。

实际上在28纳米开始，各半导体厂商就已经开始着手这个问题并进行解决了，使用双重曝光，使用3D晶体管等技术。

这些都是为了在现有DUV浸润式光刻机134纳米光源波长的极限下，进一步缩小晶体管尺寸，提升晶体管密度。

智云微电子也不例外，早早就开始搞多重曝光技术以及3D晶体管技术。

如今正在试产的十四纳米工艺，就是采用了双重曝光加上3D晶体管技术。

不过双重曝光也搞不了等效七纳米工艺啊，怎么办？

智云微电子那边提出来了更加复杂的多重曝光工艺，简单上来说，就是他们想要来个力大飞砖，直接上马四重曝光技术，强行实现等效7七纳米的量产。 本章未完，请点击下一页继续阅读！ 第2页/共9页